Transistor MJ11032G

Transistor de potencia NPN en configuración Darlington, con polarización bipolar, que ofrece una tensión colector-emisor de hasta 120 V, una corriente de 30 A y una potencia de 300 W. El encapsulado TO-3 y el montaje THT favorecen una buena disipación de calor y facilitan la fijación en placa de circuito impreso (PCB). Ideal para aplicaciones de conmutación y amplificación de alta potencia, incluidas fuentes de alimentación, drivers de potencia y etapas de salida en sistemas industriales.

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DETALLES

Características:
- Tipo de transistor: NPN
- Polarización: bipolar
- Tipo de transistor: Darlington
- Tensión colector-emisor: 120V
- Corriente de colector: 30A
- Potencia: 300W
- Encapsulado: TO3
- Montaje: THT

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