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  5. 002-1638

Transistor IRF530N

Este MOSFET de potencia es un transistor N-MOSFET en encapsulado TO-220AB con tecnología HEXFET, adecuado para conmutación de energía en circuitos de potencia. Ofrece tensión drenador-fuente de 100V, corriente de drenador de 17A y potencia de 79W, con resistencia on-state de 90mOhm. La polarización es unipolar y la puerta-fuente admite ±20V, con carga de puerta de 24.7nC. Compatible con montaje THT, ofrece fiabilidad y un rendimiento estable para el control de energía.
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Características:
- Tipo de transistor: N-MOSFET
- Polarización: unipolar
- Tensión drenador-fuente: 100V
- Corriente de drenador: 17A
- Potencia: 79W
- Encapsulado: TO220AB
- Tensión puerta-fuente: +/-20V
- Resistencia on-state: 90mOhm
- Montaje: THT
- Carga de puerta: 24.7nC
- Tecnología: HEXFET