Transistor IRFB4019

Transistor de potencia N-MOSFET HEXFET para conmutación de alta velocidad. Admite 150V de drenador-fuente, 17A de corriente, 80W de potencia, encapsulado TO220AB, puerta-fuente 20V, resistencia en conducción 95mOhm, resistencia térmica 1.88K/W, montaje THT y carga de puerta 13nC. Ideal para fuentes de alimentación, drivers de motores y aplicaciones de conmutación de potencia, con rendimiento estable y protección térmica.

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DETALLES

Características:
- Tipo de transistor: N-MOSFET
- Polarización: unipolar
- Tipo de transistor: HEXFET
- Tensión drenador-fuente: 150V
- Corriente de drenador: 17A
- Potencia: 80W
- Encapsulado: TO220AB
- Tensión puerta-fuente: 20V
- Resistencia en conducción: 95mOhm
- Resistencia térmica: 1.88K/W
- Montaje: THT
- Carga de puerta: 13nC

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