Transistor SPB17N80C3

Transistor N-MOSFET de alta tensión en encapsulado SMD PG-TO263-3, con corriente de drenaje de hasta 17 A y drenaje-fuente de hasta 800 V. Presenta canal enriquecido, polarización unipolar y resistencia de conducción de 0,29 Ω, garantizando una potencia disipada de hasta 227 W. Con tecnología CoolMOS™, ofrece un rendimiento eficiente en fuentes de alimentación conmutadas, conmutación rápida y protección, y admite tensiones de puerta-fuente de hasta ±20 V. Adecuado para aplicaciones industriales y de telecomunicaciones.

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DETALLES

Fabricante: INFINEON TECHNOLOGIES
Montaje: SMD
Carcasa: PG-TO263-3
Corriente de drenaje: 17A
Especie de canal: enriquecido
Polarización: unipolar
Potencia disipada: 227W
Resistencia en estado de conducción: 0.29Ω
Tecnología: CoolMOS™
Tensión drenaje-fuente: 800V
Tensión puerta-fuente: ±20V
Tipo de transistor: N-MOSFET

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