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  5. 002-1609

Transistor IRFB52N15D

Transistor de potencia N-MOSFET HEXFET, con drenaje-fuente de 150 V y corriente de 60 A, capaz de 320 W de potencia. Encapsulado TO220AB y montaje THT, Vgs hasta 30 V, Rds(on) de 32 mΩ y resistencia térmica de 470 mK/W aseguran una disipación estable. Carga de puerta de 60 nC. Ideal para fuentes de alimentación, convertidores y drivers de potencia en PCB, con buena eficiencia y fiabilidad en aplicaciones de potencia.
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Características:
- Tipo de transistor: N-MOSFET
- Polarización: unipolar
- Tipo de transistor: HEXFET
- Tensión drenaje-fuente: 150V
- Corriente de drenaje: 60A
- Potencia: 320W
- Encapsulamiento: TO220AB
- Tensión puerta-fuente: 30V
- Resistencia en estado de conducción: 32mOhm
- Resistencia térmica: 470mK/W
- Montaje: THT
- Carga de la puerta: 60nC