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  5. 002-1605

Transistor FDPF12N50T

Transistor de potencia N-MOSFET con tecnología UniFET, polarización unipolar, destinado a aplicaciones de conmutación. Soporta 500V de drenador-fuente y 6,9A de corriente, con una disipación de hasta 42W y una Rds(on) de 650 mΩ. Encapsulado TO220FP, montaje THT, con tensión de puerta de ±30V y carga de puerta de 30nC. Adecuado para fuentes de alimentación, convertidores y drivers de potencia que requieren un rendimiento estable.
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Fabricante: ONSEMI
Tipo de transistor: N-MOSFET
Tecnología: UniFET™
Polarización: unipolar
Tensión drenador-fuente: 500V
Corriente de drenador: 6.9A
Potencia disipada: 42W
Carcasa: TO220FP
Tensión puerta-fuente: ±30V
Resistencia en estado de conducción: 650mΩ
Montaje: THT
Carga de la puerta: 30nC
Tipo de embalaje: tubo
Tipo de canal: enriquecido

Ficha técnica