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  5. 002-1597

Transistor IRFB4321

Transistor de potencia tipo N-MOSFET con tecnología HEXFET para aplicaciones de conmutación de potencia. Admite hasta 150 V entre drenador y fuente y 83 A de corriente, disipando hasta 330 W, en encapsulado TO-220AB. La puerta admite hasta ±30 V, con resistencia en estado de conducción de 15 mΩ y carga de puerta de 71 nC. Montaje mediante through-hole (THT) y envío en tubo, adecuado para driver de fuentes, inversores y convertidores de potencia, entre otros.
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Tipo de transistor: N-MOSFET
Tecnologia: HEXFET®
Polarización: unipolar
Tensión drenador-fuente: 150V
Corriente de drenador: 83A
Potencia disipada: 330W
Carcasa: TO220AB
Tensión puerta-fuente: ±30V
Resistencia en estado de conducción: 15mΩ
Montaje: THT
Carga de puerta: 71nC
Tipo de embalaje: tubo
Tipo de canal: enriquecido