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  5. 002-1586

Transistor IRFP140

Transistor de potencia N-MOSFET con encapsulado TO-247AC y montaje en tubo. Tensión drenaje-fuente: 100 V, Corriente de drenaje: 22 A, RDS(on): 77 mΩ, Potencia disipada: 180 W, VGS: ±20 V, Carga de la puerta: 72 nC. Ideal para conmutación y regulación de potencia en circuitos de alimentación de alta eficiencia.
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Montaje: THT
Corriente de drenaje: 22A
Tipo de canal: enriquecido
Tipo de encapsulado: tubo
Polarización: unipolar
Potencia disipada: 180W
Resistencia en estado de conducción: 77mΩ
Tensión drenaje-fuente: 100V
Tensión puerta-fuente: ±20V
Tipo de transistor: N-MOSFET
Carcasa: TO247AC
Carga de la puerta: 72nC