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  5. 002-1519

Transistor IRF2807

Transistor de potencia N-MOSFET con montaje THT, tecnología HEXFET y canal enriquecido para una conducción eficiente. Con drenaje-fuente de 75 V y puerta-fuente de 20 V, soporta corrientes de hasta 82 A y disipa hasta 200 W. La resistencia en estado de conducción es de 13 mΩ y la carga de la puerta es de 106.7nC. Se ajusta a la carcasa TO220AB, por lo que es adecuado para aplicaciones de conmutación en PCB con montaje a través de orificios.
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Montaje: THT
Tipo de embalaje: tubo
Corriente de drenaje: 82A
Tipo de canal: enriquecido
Polarización: unipolar
Potencia disipada: 200W
Resistencia en estado de conducción: 13mΩ
Tecnología: HEXFET®
Tensión drenaje-fuente: 75V
Tensión puerta-fuente: ±20V
Tipo de transistor: N-MOSFET
Carcasa: TO220AB
Carga de la puerta: 106.7nC