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  5. 002-1442

Transistor IRF5210

Montado en encapsulado TO220AB, este P-MOSFET de potencia utiliza tecnología HEXFET para ofrecer conmutación fiable en fuentes de alimentación e inversores. Conduce hasta -40 A con una resistencia de conducción de 60 mΩ, soportando hasta -100 V entre drenaje y fuente y ofreciendo polarización compuerta-fuente de ±20 V. Con una disipación de hasta 200 W, montaje THT en tubo, es adecuado para aplicaciones de conmutación de potencia, control de carga y circuitos de motor, que requieren protección y eficiencia.
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Carcasa: TO220AB
Tecnología: HEXFET®
Montaje: THT
Tipo de embalaje: tubo
Carga de la compuerta: 120nC
Corriente de drenaje: -40A
Tipo de canal: enriquecido
Polarización: unipolar
Potencia disipada: 200W
Resistencia en estado de conducción: 60mΩ
Tensión drenaje-fuente: -100V
Tensión compuerta-fuente: ±20V
Tipo de transistor: P-MOSFET