Transistor IRFPE40

Transistor N-MOSFET de potencia con drenador-fuente a 800 V, corriente de 3,4 A y potencia disipada de 150 W. Carcasa TO247AC con montaje THT que facilita aplicaciones de conmutación de alta tensión, ofreciendo una resistencia de conducción de 2 Ω, tensión puerta-fuente de hasta ±20 V y carga de puerta de 130 nC. Adecuado para fuentes, convertidores y drivers de potencia en sistemas electrónicos.

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DETALLES

Fabricante VISHAY
Tipo de transistor N-MOSFET
Polarización unipolar
Tensión drenador-fuente 800V
Corriente de drenador 3.4A
Potencia disipada 150W
Carcasa TO247AC
Tensión puerta-fuente ±20V
Resistencia en estado de conducción 2Ω
Montaje THT
Carga de puerta 130nC
Especie de embalaje tubo
Especie de canal enriquecido

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