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  5. 002-1330

Transistor IRFP250N

Este componente es un transistor de potencia del tipo N-MOSFET con tecnología HEXFET, encapsulado en TO-247AC y montaje THT. Soporta hasta 200 V entre drenaje y fuente y hasta 30 A de corriente, con una resistencia de conducción de 75 mΩ. La puerta acepta la tensión de ±20 V y carga 123 nC, lo que favorece una conmutación eficiente en aplicaciones de potencia. Ideal para fuentes, reguladores y drivers de potencia, con una disipación de hasta 214 W y un rendimiento estable en montaje robusto.
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Montaje: THT
Carcasa: TO247AC
Potencia disipada: 214W
Tipo de embalaje: tubo
Corriente de drenaje: 30A
Tipo de canal: enriquecido
Polarización: unipolar
Resistencia en estado de conducción: 75mΩ
Tecnología: HEXFET®
Tensión drenaje-fuente: 200V
Tensión puerta-fuente: ±20V
Tipo de transistor: N-MOSFET
Carga de la puerta: 123nC

Datasheet: haga clic aquí