Transistor HUF75344G3

El transistor HUF75344G3 es un MOSFET de potencia de canal N con tecnología UltraFET. Ideal para conmutación de alta corriente en fuentes de alimentación y drivers, ofrece VDS de 55V, ID de 75A y una disipación de hasta 285W en una carcasa TO-247. Dispone de Rds(on) de 8 mΩ, polarización unipolar, puerta-fuente de ±20V, carga de puerta de 7nC y montaje THT. Embalaje en tubo, canal enriquecido para eficiencia térmica.

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DETALLES

Fabricante ON SEMICONDUCTOR
Tipo de transístor N-MOSFET
Tecnología UltraFET®
Polarización unipolar
Tensión drenador-fuente 55V
Corriente de drenador 75A
Potencia disipada 285W
Carcasa TO247
Tensión puerta-fuente ±20V
Resistencia en estado de conducción 8mΩ
Montaje THT
Carga de la puerta 7nC
Tipo de embalaje tubo
Tipo de canal enriquecido

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