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  5. 002-1299

Transistor SPW12N50C3

Transistor N-Channel de modo enhancement, encapsulado TO-247-3 (Through Hole), con Vds de 560 V, Id de 11.6 A, Rds(on) de 380 mΩ y disipa hasta 125 W. Funciona entre -55 °C y +150 °C, con Vgs de -20 V a +20 V. Indispensable en fuentes de alimentación, convertidores DC-DC y drivers de conmutación, ofreciendo un rendimiento estable y fiable en aplicaciones de potencia.
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Fabricante: Infineon
Categoría de producto: MOSFET
Estilo de montaje: Through Hole
Carcasa / Encapsulado: TO-247-3
Polaridad del transistor: N-Channel
Número de canales: 1 Channel
Vds - Tensión de ruptura entre drenaje y fuente: 560 V
Id - Corriente de drenaje continua: 11.6 A
Rds On - Fuente de drenaje en la resistencia: 380 mOhms
Vgs - Voltaje de puerta y fuente: - 20 V, + 20 V
Temperatura operativa mínima: - 55 C
Temperatura operativa máxima: + 150 C
Pd - Disipación de potencia: 125 W
Modo de canal: Enhancement
Nombre comercial: CoolMOS
Altura: 21.1 mm
Longitud: 16.13 mm
Serie: CoolMOS C3
Tipo de transistor: 1 N-Channel
Ancho: 5.21 mm
Tiempo de caída: 8 ns

Tiempo de subida: 8 ns
Cantidad del paquete de fábrica: 240
Tiempo de retardo de apagado típico: 45 ns
Tiempo típico de activación / retardo: 10 ns
Peso unitario: 38 g