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  5. 002-1230

Transistor IRFP460

Transistor de potencia N-MOSFET con encapsulado TO-247AC y montaje THT. Soporta 500 V en el drenaje-fuente y 13 A de corriente, con una resistencia de conducción de 270 mΩ y una disipación máxima de 280 W. La puerta presenta 210 nC de carga y polarización unipolar. Adecuado para conmutación de alta tensión en aplicaciones de montaje.
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Características:

Carcasa: TO247AC
Montaje: THT
Tipo de embalaje: tubo
Carga de la puerta: 210nC
Corriente de drenaje: 13A
Tipo de canal: enriquecido
Polarización: unipolar
Potencia disipada: 280W
Resistencia en estado de conducción: 270mΩ
Tensión drenaje-fuente: 500V
Tensión puerta-fuente: ±20V
Tipo de transistor: N-MOSFET