Características:
- Tipo de transistor unipolar, N-MOSFET, HEXFET
- Tensión de drenaje-fuente: 40V
- Corriente de drenaje: 343A
- Potencia: 375W
- Caja: TO220AB
- Tensión de puerta-fuente: 20V
- Resistencia en conducción: 1.7mO
- Resistencia térmica unión-caja: 400mK/W
- Montaje: THT
- Carga de puerta: 108nC
Datasheet:
haga clic aquí