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  5. 002-1190

Transistor IRLZ44N

Transistor MOSFET de potencia con canal enriquecido y nivel lógico, que ofrece 55V de drenador-fuente, 41A de corriente de drenador y 22mΩ de resistencia, hasta 83W de disipación. Cuenta con encapsulado TO220AB, montaje en tubo (THT) y carga de puerta de 32nC. Ideal para fuentes de alimentación, conmutación y drivers de motor, con un rendimiento estable y eficiencia.
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En Stock (151 unidades) Entrega entre 1 a 3 dias úteis
€ 1,14
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Montaje: THT
Corriente de drenador: 41A
Tipo de canal: enriquecido
Tipo de encapsulado: tubo
Polarización: unipolar
Potencia disipada: 83W
Propiedades de los dispositivos semiconductores: logic level
Resistencia en estado de conducción: 22mΩ
Tecnología: HEXFET®
Tensión drenador-fuente: 55V
Tensión puerta-fuente: ±16V
Tipo de transistor: N-MOSFET
Carcasa: TO220AB
Carga de la puerta: 32nC