Montagem: THT
Corrente de dreno: 41A
Espécie de canal: enriquecido
Espécie de embalagem: tubo
Polarização: unipolar
Potência dissipada: 83W
Propriedades de dispositivos semicondutores: logic level
Resistência no estado de condução: 22mΩ
Tecnologia: HEXFET®
Tensão dreno-fonte: 55V
Tensão porta-fonte: ±16V
Tipo de transístor: N-MOSFET
Carcaça: TO220AB
Carga da porta: 32nC