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  5. 002-1186

Transistor IRF9Z24N

Transistor MOSFET de canal P HEXFET, encapsulado en TO220AB, con Vds de -55V, Id de -12A y 175mOhm de Rds(on). Tiene una potencia de 45W y Vgs de 20V, adecuado para conmutar cargas con polaridad negativa; el encapsulado facilita la disipación térmica, con un peso de 2.81g. Ideal para diseños compactos de electrónica de potencia con eficiencia y velocidad de conmutación.
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Transistor IRF9Z24N.

Características:
- Tipo: unipolar, P-MOSFET, HEXFET
- Potencia: 45W
- Cápsula: TO220AB
- Voltaje drain-source: -55V
- Corriente drain: -12A
- Voltaje gate-source: 20V
- Resistencia en estado de encendido: 175mOhm

Peso: 2.81g