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  5. 002-1170

Transistor STP20NM60

Este transistor N-MOSFET con tecnología FDmesh es unipolar y adecuado para aplicaciones de potencia. Soporta hasta 600 V de drenador-fuente y 12.6 A de corriente, con una disipación máxima de 45 W. Dispone de encapsulado TO220-3 y montaje THT, con una tolerancia de puerta-fuente de ±30 V. La resistencia en estado de conducción es de 290 mΩ, con canal enriquecido, lo que lo hace adecuado para conmutación eficiente y regulación de potencia en circuitos de potencia.
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Fabricante: STMicroelectronics
Tipo de transistor: N-MOSFET
Tecnologia: FDmesh™
Polarización: unipolar
Tensión drenador-fuente: 600V
Corriente de drenador: 12.6A
Potencia disipada: 45W
Carcasa: TO220-3
Tensión puerta-fuente: ±30V
Resistencia en estado de conducción: 290mΩ
Montaje: THT
Tipo de embalaje: tubo
Tipo de canal: enriquecido