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  5. 002-1159

Transistor STGP10NC60KD

Transistor de potencia IGBT con Vce de 600 V e Ic continuo de 10 A, capaz de pico de 30 A. Encapsulado en TO-220AB con montaje THT y disipación de hasta 65 W. Dispone de diodo antiparalelo integrado para conducción en conmutación, carga de puerta de 19 nC y tensión puerta-emisor de ±20 V. Ideal para convertidores, inversores y control de motores, ofreciendo una solución robusta de potencia sin depender de una marca específica.
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Carcasa: TO220AB
Carga de la puerta: 19nC
Corriente del colector: 10A
Corriente del colector en el impulso: 30A
Tipo de embalaje: tubo
Fabricante: STMicroelectronics
Montaje: THT
Potencia disipada: 65W
Propiedades del dispositivo semiconductor: diodo antiparalelo integrado
Tensión colector-emisor: 600V
Tensión puerta - emisor: ±20V
Tipo de transistor: IGBT