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  5. 002-1146

Transistor IRFP064N

Transistor de potencia del tipo N-MOSFET con encapsulado TO-247AC, tecnología HEXFET y montaje en tubo (THT). Ofrece corriente de drenaje de hasta 98 A, tensión drenaje-fuente de 55 V y potencia disipada de 150 W, con resistencia en estado de conducción de 8 mΩ. La compuerta-fuente soporta hasta ±20 V, permitiendo un control seguro. Ideal para usos en fuentes, inversores y conmutación de señal en aplicaciones industriales, con un rendimiento estable en entornos de alta potencia.
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Fabricante: INFINEON TECHNOLOGIES
Carcasa: TO247AC
Carga de la compuerta: 113.3nC
Corriente de drenaje: 98A
Especie de canal: enriquecido
Especie de encapsulado: tubo
Montaje: THT
Polarización: unipolar
Potencia disipada: 150W
Resistencia en estado de conducción: 8mΩ
Tecnología: HEXFET®
Tensión drenaje-fuente: 55V
Tensión compuerta-fuente: ±20V
Tipo de transistor: N-MOSFET

Ficha Técnica