¡Ver!
MENÚ
Sin IVA
Con IVA
0
0
EL CARRITO ESTÁ VACÍO
Aún no tienes productos en el carrito.
  3. Electrónica
  4. Transistores
  5. 002-1131

Transistor IRF1404Z

Transistor de canal N con HEXFET, en encapsulado TO220AB (montaje THT), polarización unipolar. Soporta 190 A de corriente de drenaje y 40 V entre drenaje y fuente, con tensión de puerta de ±20 V, resistencia en conducción de 3,7 mΩ, potencia disipada de hasta 220 W. La puerta tiene una carga de 0,1 µC, adecuado para conmutaciones de potencia rápidas y eficientes en aplicaciones de control de energía.
REF
En Stock (3 unidades) Entrega inmediata
€ 7,08
/und
IVA Incluido a la Tasa de 23%
Añadir al CarritoAñadir al Carrito
Carcasa: TO220AB
Carga de la puerta: 0,1µC
Corriente de drenaje: 190A
Tipo de canal: enriquecido
Tipo de encapsulado: tubo
Fabricante: INFINEON TECHNOLOGIES
Montaje: THT
Polarización: unipolar
Potencia disipada: 220W
Resistencia en estado de conducción: 3,7mΩ
Tecnología: HEXFET®
Tensión puerta-fuente: ±20V
Tensión drenaje-fuente: 40V
Tipo de transistor: N-MOSFET