¡Ver!
MENÚ
Sin IVA
Con IVA
0
0
EL CARRITO ESTÁ VACÍO
Aún no tienes productos en el carrito.
  3. Electrónica
  4. Transistores
  5. 002-1061

Transistor IRF3710

Transistor N-MOSFET de potencia con tecnología HEXFET. Soporta drenaje hasta 100V y corrientes de hasta 57A, disipando hasta 200W en encapsulado TO220AB. Dispone de tensión puerta-fuente de ±20V, resistencia ON de 23mΩ, montaje THT y carga de puerta de 86.7nC. Ideal para convertidores, fuentes de alimentación y aplicaciones de conmutación de alta fiabilidad.
REF
En Stock (34 unidades) Entrega inmediata
€ 1,45
/und
IVA Incluido a la Tasa de 23%
Añadir al CarritoAñadir al Carrito
Fabricante Infineon (IRF)
Tipo de transístor N-MOSFET
Tecnologia HEXFET®
Polarización unipolar
Tensión drenador-fuente 100V
Corriente de drenador 57A
Potencia disipada 200W
Carcasa TO220AB
Tensión puerta-fuente ±20V
Resistencia en estado de conducción 23mΩ
Montaje THT
Carga de puerta 86.7nC