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  5. 002-1054

Transistor STP60NF06

Transistor N-MOSFET de potencia con tecnología STripFET II, adecuado para conversión de potencia en aplicaciones de conmutación. Establece drenaje-fuente de 60V y drenaje de 42A, disipa hasta 110W, con resistencia en estado de conducción de 16mΩ. Encapsulado en TO220-3, montaje THT, embalaje en tubo; polarización unipolar, tensión puerta-fuente de ±20V. Compatible con proyectos que requieren un encapsulado robusto, montaje sencillo en PCB y un rendimiento estable en condiciones de alta corriente.
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Fabricante: STMicroelectronics
Tipo de transistor: N-MOSFET
Tecnología: STripFET™ II
Polarización: unipolar
Tensión drenaje-fuente: 60V
Corriente de drenaje: 42A
Potencia disipada: 110W
Carcasa: TO220-3
Tensión puerta-fuente: ±20V
Resistencia en estado de conducción: 16mΩ
Montaje: THT
Tipo de embalaje: tubo
Tipo de canal: enriquecido