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  5. 002-1049

Transistor IRFIZ44N

Transistor de potencia N-MOSFET con tecnología HEXFET, fabricado por Infineon Technologies, encapsulado en TO220FP y montaje THT, con 55V de drenaje-fuente, 28A de corriente de drenaje, resistencia de conducción de 24 mΩ y disipación de hasta 38W. Compatible con tensiones puerta-fuente de ±20V, adecuado para conmutación de potencia, fuentes de alimentación, control de motores y aplicaciones industriales, con un rendimiento estable, eficiencia de conducción y fácil integración en soluciones de hardware.
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Fabricante: INFINEON TECHNOLOGIES
Montaje: THT
Carcasa: TO220FP
Carga de puerta: 43.3nC
Corriente de drenaje: 28A
Tipo de canal: enriquecido
Tipo de embalaje: tubo
Polarización: unipolar
Potencia disipada: 38W
Resistencia en estado de conducción: 24mΩ
Tecnología: HEXFET®
Tensión drenaje-fuente: 55V
Tensión puerta-fuente: ±20V
Tipo de transistor: N-MOSFET