TRANSISTOR 2SJ112

El transistor N-JFET, con carcasa TO-92 y montaje THT, ofrece polarización unipolar, disipación 0,35 W, corriente de puerta 50 mA y drenaje 5 mA. Tiene una resistencia de conducción de 50 Ω y una tensión drenaje-fuente de -35 V, por lo que es adecuado para aplicaciones analógicas de señal y control en prototipado con montaje en placa de pruebas.

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DETALLES
DESCARGAS

Carcasa: TO92
Corriente de puerta: 50mA
Corriente de drenaje: 5mA
Fabricante: ONSEMI
Montaje: THT
Polarización: unipolar
Potencia disipada: 0.35W
Resistencia en estado de conducción: 50Ω
Tensión drenaje-fuente: -35V
Tipo de transistor: N-JFET

Ficha técnica

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TRANSISTOR 2SJ112

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