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  5. 002-0944

TRANSISTOR SPP11N60C3

Transistor de potencia N-MOSFET con tecnología CoolMOS, unipolar, destinado al montaje THT en encapsulado PG-TO220. Alcanza una tensión drenador-fuente de 650V y una corriente de drenador de 7A, con picos de 33A, disipa hasta 125W. Dispone de una resistencia en estado de conducción de 380 mΩ y una tensión puerta-fuente de ±20V. Ideal para aplicaciones de conmutación de alta tensión en electrónica de potencia, con canal enriquecido.
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Fabricante: INFINEON TECHNOLOGIES
Tipo de transistor: N-MOSFET
Tecnología: CoolMOS™
Polarización: unipolar
Tensión drenador-fuente: 650V
Corriente de drenador: 7A
Corriente de drenador en impulso: 33A
Potencia disipada: 125W
Carcasa: PG-TO220
Tensión puerta-fuente: ±20V
Resistencia en estado de conducción: 380mΩ
Montaje: THT
Especie de canal: enriquecido