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  5. 002-0738

TRANSISTOR IRFZ44N

MOSFET de potência N-MOSFET em encapsulamento TO-220AB, com canal enriquecido e tecnologia HEXFET. Projetado para comutação de cargas DC, suporta até 55V de dreno-fonte e 49A de corrente, com resistência de condução de 17,5 mΩ e carga de porta de 42 nC. Montagem THT, polarização unipolar e dissipação máxima de 83W, adequado para fontes de alimentação, controlo de motores e aplicações de potência em PCB.
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Fabricante: INFINEON TECHNOLOGIES
Montagem: THT
Espécie de canal: enriquecido
Espécie de embalagem: tubo
Polarização: unipolar
Potência dissipada: 83W
Resistência no estado de condução: 17.5mΩ
Tecnologia: HEXFET®
Tensão dreno-fonte: 55V
Tensão porta-fonte: ±20V
Tipo de transístor: N-MOSFET
Carcaça: TO220AB
Carga da porta: 42nC
Corrente de dreno: 49A

K50659