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  5. 002-0738

TRANSISTOR IRFZ44N

MOSFET de potencia N-MOSFET en encapsulado TO-220AB, con canal enriquecido y tecnología HEXFET. Diseñado para la conmutación de cargas DC, admite hasta 55V de drenador-fuente y 49A de corriente, con una resistencia de conducción de 17,5 mΩ y una carga de puerta de 42 nC. Montaje THT, polarización unipolar y disipación máxima de 83W, adecuado para fuentes de alimentación, control de motores y aplicaciones de potencia en PCB.
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Fabricante: INFINEON TECHNOLOGIES
Montaje: THT
Tipo de canal: enriquecido
Tipo de encapsulado: tubo
Polarización: unipolar
Potencia disipada: 83W
Resistencia en estado de conducción: 17.5mΩ
Tecnología: HEXFET®
Tensión drenador-fuente: 55V
Tensión puerta-fuente: ±20V
Tipo de transistor: N-MOSFET
Carcasa: TO220AB
Carga de la puerta: 42nC
Corriente de drenador: 49A

K50659