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Transistor IRF3205

El IRF3205 de Infineon Technologies es un N-MOSFET de la familia HEXFET, con polarización unipolar, tensión drenador-fuente de 55 V, corriente de drenador de hasta 80 A y una disipación de 200 W, en una carcasa TO220AB. Adecuado para conmutación de potencia en PCB con montaje THT; ofrece Vgs de ±20 V, Rds(on) de 8 mΩ y carga de puerta de 146 nC. Ideal para proyectistas que buscan eficiencia y fiabilidad en aplicaciones de control de potencia.
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Fabricante: INFINEON TECHNOLOGIES
Tipo de transistor: N-MOSFET
Tecnología: HEXFET®
Polarización: unipolar
Tensión drenador-fuente: 55V
Corriente de drenador: 80A
Potencia disipada: 200W
Carcasa: TO220AB
Tensión puerta-fuente: ±20V
Resistencia en estado de conducción: 8mΩ
Montaje: THT
Carga de puerta: 146nC
Tipo de embalaje: tubo
Tipo de canal: enriquecido