Fabricante: INFINEON TECHNOLOGIES
Tipo de transístor: N-MOSFET
Tecnologia: HEXFET®
Polarização: unipolar
Tensão dreno-fonte: 55V
Corrente de dreno: 80A
Potência dissipada: 200W
Carcaça: TO220AB
Tensão porta-fonte: ±20V
Resistência no estado de condução: 8mΩ
Montagem: THT
Carga da porta: 146nC
Espécie de embalagem: tubo
Espécie de canal: enriquecido