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TRANSISTOR IRF540N

El transistor N-MOSFET de potencia con tecnología HEXFET ofrece Vds de 100V, Id de 33A y Pd de 140W, en encapsulado TO220AB. Dispone de Rds(on) de 44mΩ y Vgs de ±20V, adecuado para conmutación de alta eficiencia en fuentes de alimentación, drivers de motor y convertidores DC-DC. El montaje en THT y el embalaje en tubo simplifican el montaje y la integración en PCB, manteniendo un rendimiento estable y fiable.
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Fabricante Infineon (IRF)
Tipo de transistor N-MOSFET
Tecnologia HEXFET®
Polarización unipolar
Tensión drenador-fuente 100V
Corriente de drenador 33A
Potencia disipada 140W
Carcasa TO220AB
Tensión puerta-fuente ±20V
Resistencia en estado de conducción 44mΩ
Montaje THT
Carga de puerta 47.3nC
Especie de embalaje tubo
Especie de canal enriquecido