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  5. 002-0237

Transistor IRF840

Este transistor de potencia es un N-MOSFET de montaje en TO220AB, adecuado para aplicaciones de conmutación y regulación. Ofrece drenaje hasta 5,1A con picos de 32A, tensión drenaje-fuente de 500V y polarización unipolar. La resistencia en estado de conducción es de aproximadamente 850 mΩ, con una disipación de hasta 125W, y una carga de puerta de 63nC. El montaje es THT, en encapsulado tubo, y el canal es enriquecido, proporcionando buena eficiencia en circuitos de potencia.
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Montaje: THT
Corriente de drenaje: 5.1A
Corriente de drenaje en impulso: 32A
Tipo de canal: enriquecido
Tipo de encapsulado: tubo
espesor del disipador: 1.14...1.4mm
Polarización: unipolar
Potencia disipada: 125W
Resistencia en estado de conducción: 850mΩ
Tensión drenaje-fuente: 500V
Tensión puerta-fuente: ±20V
Tipo de transistor: N-MOSFET
Carcasa: TO220AB
Carga de la puerta: 63nC

Ficha Técnica