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Transistor SPP20N60C3

MOSFET N de potencia para montaje en placa, con encapsulado TO-220-3 y montaje THT, ofrece una corriente de drenaje de 20,7 A y una tensión drenaje-fuente de 600 V, ideal para fuentes de alimentación, convertidores e inversores. Dispone de una resistencia en estado de conducción de 0,19 ohm y una potencia disipada de hasta 208 W, gracias a la tecnología CoolMOS para una menor disipación y una mayor fiabilidad. La tensión de compuerta es máx. ±20 V, lo que lo hace apto para conmutación rápida en aplicaciones de alto rendimiento.
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Carcasa: PG-TO220-3
Corriente de drenaje: 20,7A
Tipo de canal: enriquecido
Tipo de encapsulado: tubo
Fabricante: INFINEON TECHNOLOGIES
Montaje: THT
Polarización: unipolar
Potencia disipada: 208W
Resistencia en estado de conducción: 0,19Ω
Tecnología: CoolMOS™
Tensión compuerta-fuente: ±20V
Tensión drenaje-fuente: 600V
Tipo de transistor: N-MOSFET