Vishay IRC530 - Transistor

Fabricante Vishay Siliconix
Tipo de FET N-Channel
Tecnología MOSFET (Metal Oxide)
Tensión - Dreno a Fuente (Vdss) 100V
Corriente - Dreno continua (Id) @ 25°C 14A
Rds On (Máx.) @ Id, Vgs 0.16 Ohm @ 8.4A, 10V
Vgs(th) (Máx.) @ Id 4V @ 250µA
Carga de puerta (Qg) (Máx.) @ Vgs 26nC @ 10V
Capacitancia de entrada (Ciss) (Máx.) @ Vds 670pF @ 25V
Disipación de potencia (Máx.) 88W (Tc)
Temperatura de funcionamiento -55°C ~ 175°C (TJ)

Ficha técnica