Transistor N-MOSFET - IRFP3206PBF

Transistor N-MOSFET de potencia con encapsulado TO247AC, resistencia en estado de conducción de 3 mΩ, corriente de drenaje hasta 200 A y tensión drenaje-fuente de 60 V. Soporta una disipación de 280 W con polarización unipolar, tecnología HEXFET y montaje THT, adecuado para aplicaciones que requieren una conducción eficiente y controlada; ofrece descarga-fuente hasta ±20 V.

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DETALLES

Carcasa: TO247AC
Carga de puerta: 0,12µC
Corriente de drenaje: 200A
Fabricante: INFINEON TECHNOLOGIES
Montaje: THT
Polarización: unipolar
Potencia disipada: 280W
Resistencia en estado de conducción: 3mΩ
Tecnología: HEXFET®
Tensión drenaje-fuente: ±20V
Tensión drenaje-fuente: 60V
Tipo de transistor: N-MOSFET

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