Transistor IRFB7430

Este transistor de potencia es un N-MOSFET de encapsulado TO220AB con drenador-fuente de 40 V, corriente de drenador de hasta 409 A y potencia de 375 W. Tiene una resistencia en estado de encendido de 1,3 mΩ, tensión puerta-fuente de ±20 V y carga de puerta de 300 nC. Compatible con montaje THT, es adecuado para aplicaciones de conmutación de alta potencia en fuentes de alimentación, drivers de motores y circuitos que requieren eficiencia y control preciso.

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DETALLES

Características:
IRFB7430PBF
- Tipo de transistor: N-MOSFET
- Polarización: unipolar
- Tensión drenador-fuente: 40V
- Corriente de drenador: 409A
- Potencia: 375W
- Encapsulado: TO220AB
- Tensión puerta-fuente: +/-20V
- Resistencia en estado de encendido: 1.3mOhm
- Montaje: THT
- Carga de puerta: 300nC

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