Transistor AOD407

Transistor P-MOSFET unipolar con encapsulado TO252, tensión drenador-fuente -60V y corriente de drenador -10A. Potencia 25W, tensión gate-fuente +/-20V, resistencia en estado activo 115mΩ, montaje SMD y carga de gate 7.4nC. Ideal para conmutación de potencia en circuitos con requisitos de baja resistencia y tensiones, contribuyendo a una gestión eficaz de la energía en diseños compactos.

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DETALLES

Características:
- Tipo de transistor: P-MOSFET
- Polarización: unipolar
- Tensión drenador-fuente: -60V
- Corriente de drenador: -10A
- Potencia: 25W
- Encapsulado: TO252
- Tensión gate-fuente: +/-20V
- Resistencia on-state: 115mOhm
- Montaje: SMD
- Carga de gate: 7.4nC

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