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Transistor IRFSL11N50A

Transistor N-MOSFET de potencia con encapsulado I2PAK y polarización unipolar, tensión drenador-fuente 500V, corriente de drenador hasta 7A y potencia hasta 190W. Dispone de resistencia on-state de 0.55 Ohm y carga de gate de 51nC, con montaje en THT y gate-fuente de +/-30V. Ideal para aplicaciones de conmutación de alta tensión en fuentes de alimentación y circuitos de potencia, con buena disipación.
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Características:
- Tipo de transistor: N-MOSFET
- Polarización: unipolar
- Tensión drenador-fuente: 500V
- Corriente de drenador: 7A
- Potencia: 190W
- Encapsulado: I2PAK
- Tensión gate-fuente: +/-30V
- Resistencia on-state: 0.55Ohm
- Montaje: THT
- Carga de gate: 51nC