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  5. 001-2492

Transistor IPD025N06NATMA1

Transistor N-MOSFET de alta potencia con polarización unipolar, ideal para fuentes de alimentación y control de motores. Dispone de Vds de 60V, Id de 90A y potencia de hasta 167W, garantizando eficiencia con pérdidas reducidas. El encapsulado PG-TO252-3 facilita el montaje SMD, mientras que Rds(on) de 2.5mOhm mejora la eficiencia. La tecnología OptiMOS ofrece fiabilidad para aplicaciones con puerta-fuente de hasta +/-20V.
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Características:
- Tipo de transistor: N-MOSFET
- Polarización: unipolar
- Tensión drenador-fuente: 60V
- Corriente de drenador: 90A
- Potencia: 167W
- Encapsulado: PG-TO252-3
- Tensión puerta-fuente: +/-20V
- Resistencia en estado de encendido: 2.5mOhm
- Montaje: SMD
- Tecnología: OptiMOS