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Circuito Integrado DS1230Y-120+

Este circuito integrado es una memoria NV SRAM con organización 32Kx8 y capacidad de 262144 bits, con un tiempo de acceso de 120 ns. Funciona a una tensión de 4,5-5,5 V y utiliza encapsulado DIP28 con montaje THT. Adecuado para aplicaciones que requieren almacenamiento rápido de datos en sistemas embebidos y hardware dedicado.
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Características:
- Tipo de circuito integrado: memoria
- Tipo de memoria: NV SRAM
- Organización de memoria: 32kx8bit
- Tensión de funcionamiento: 4.5..5.5V
- Tiempo de acceso: 120ns
- Encapsulado: DIP28
- Capacidad de memoria: 262144bit
- Montaje: THT