Fabricante: ON Semiconductor
Estilo de montaje: Through Hole
Encapsulado: TO-92-3
Polaridad del transistor: NPN
Configuración: Single
Colector - VCEO tensión máxima del emisor: 80 V
Colector VCBO tensión básica: 80 V
Emisor - VEBO tensión de base: 4 V
Tensión de saturación del colector - emisor: 0.4 V
Corriente de colector DC máxima: 0.5 A
Pd - Disipación de potencia: 625 mW
Producto fT del ancho de banda de ganancia: 150 MHz
Temperatura de funcionamiento: - 55 C a + 150 C