Tecnología Avalanche Rugged
Tecnología Rugged Gate Oxide
Baja capacitancia de entrada
Entrada de Gate mejorada
Baja pérdida de corriente: 10 µA (Máx.) @ VDS = -200V
Bajo RDS(ON) : 0.344 Ω (Typ.)^
Para más información, consulte la ficha técnica a continuación: